近日，荷蘭光刻機(jī)巨頭 ASML 公司宣布，優(yōu)先向 Intel 公司交付其新型高數(shù)值孔徑(High NA EUV)的極紫外光刻機(jī)。

　　據(jù)悉，每臺(tái)新機(jī)器的成本超過 3 億美元，可幫助計(jì)算機(jī)芯片制造商生產(chǎn)更小、更快的半導(dǎo)體。

　　ASML 官方社交媒體賬號(hào)發(fā)布了一張現(xiàn)場(chǎng)照片。圖可以看到，光刻機(jī)的一部分被放在一個(gè)保護(hù)箱中。箱身綁著一圈紅絲帶，正準(zhǔn)備從其位于荷蘭埃因霍溫的總部發(fā)貨。

　　"耗時(shí)十年的開創(chuàng)性科學(xué)和系統(tǒng)工程值得鞠一躬!我們很高興也很自豪能將我們的第一臺(tái)高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)交付給 Intel。"ASML 公司說道。

　　據(jù)了解，高數(shù)值孔徑的極紫外光刻機(jī)組裝起來比卡車還大，需要被分裝在 250 個(gè)單獨(dú)的板條箱中進(jìn)行運(yùn)輸，其中包括 13 個(gè)大型集裝箱。

　　據(jù)估計(jì)，該光刻機(jī)將從 2026 年或 2027 年起用于商業(yè)芯片制造。

　　公開資料顯示，NA 數(shù)值孔徑是光刻機(jī)光學(xué)系統(tǒng)的重要指標(biāo)，直接決定了光刻的實(shí)際分辨率，以及最高能達(dá)到的工藝節(jié)點(diǎn)。

　　一般來說，金屬間距縮小到 30nm 以下之后，也就是對(duì)應(yīng)的工藝節(jié)點(diǎn)超越 5nm，低數(shù)值孔徑光刻機(jī)的分辨率就不夠了，只能使用 EUV 雙重曝光或曝光成形(pattern shaping)技術(shù)來輔助。

　　這樣不但會(huì)大大增加成本，還會(huì)降低良品率。因此，更高數(shù)值孔徑成為必需。

　　ASML 9 月份曾宣布，將在今年底發(fā)貨第一臺(tái)高數(shù)值孔徑 EUV 光刻機(jī)，型號(hào)"Twinscan EXE:5000"，可制造 2nm 工藝乃至更先進(jìn)的芯片。

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